logo
Opto-Edu (Beijing) Co., Ltd. 0086-13911110627 sale@optoedu.com
OPTO-EDU A63.7190 300000x Critical Dimension Scanning Electron Microscope

میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x

  • Wafer Size
    A63.7190-68: 6/8 Inches
  • Resolution
    2.5nm (Acc=800V)
  • Accelerating Voltages
    0.5-1.6KV
  • Repeatability
    Static & Dynamic ±1% or 3nm(3 Sigma)
  • Probe Beam Current
    3~30pA
  • Measuring Range
    FOV 0.1~2.0μm
  • Place of Origin
    China
  • نام تجاری
    CNOEC, OPTO-EDU
  • گواهی
    CE, Rohs
  • Model Number
    A63.7190
  • سند
  • Minimum Order Quantity
    1 pc
  • قیمت
    FOB $1~1000, Depend on Order Quantity
  • Packaging Details
    Carton Packing, For Export Transportation
  • Delivery Time
    5~20 Days
  • Payment Terms
    T/T, West Union, Paypal
  • Supply Ability
    5000 pcs/ Month

میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x

  • سازگار با 6/8 اینچ وافرها اندازه، بزرگنمایی 1000x-300000x
  • رزولوشن 2.5nm (Acc=800V) ، ولتاژ شتاب دهنده 500V-1600V
  • تکرار پذیری استاتیک و پویا ± 1٪ یا 3nm ((3 سیگما) ، جریان پرتو 3 ~ 30pA
  • طراحی سیستم انتقال وفر با سرعت بالا مناسب برای تراشه های نیمه هادی نسل سوم
  • سیستم های پیشرفته الکترون اپتیک و پردازش تصویر، از جمله کولر، پمپ خشک
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 0
 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 1

میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی (CD-SEM) یک SEM تخصصی است که برای اندازه گیری ابعاد ویژگی های کوچک در وافرهای نیمه هادی، ماسک های عکاسی و سایر مواد استفاده می شود.این اندازه گیری ها برای اطمینان از دقت و دقت دستگاه های الکترونیکی ساخته شده بسیار مهم هستند..

 

سازگار با 6/8 اینچ وافرها اندازه، بزرگنمایی 1000x-300000x

رزولوشن 2.5nm (Acc=800V) ، ولتاژ شتاب دهنده 500V-1600V

تکرار پذیری استاتیک و پویا ± 1٪ یا 3nm ((3 سیگما) ، جریان پرتو 3 ~ 30pA

طراحی سیستم انتقال وفر با سرعت بالا مناسب برای تراشه های نیمه هادی نسل سوم

سیستم های پیشرفته الکترون اپتیک و پردازش تصویر، از جمله کولر، پمپ خشک

 
 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 2

ویژگی های کلیدی

CD-SEM ها از یک پرتو الکترونی با انرژی پایین استفاده می کنند و کالیبراسیون بزرگنمایی را برای اطمینان از اندازه گیری های دقیق و قابل تکرار افزایش داده اند. آنها برای اندازه گیری ویژگی هایی مانند عرض، ارتفاع،و زاویه های دیوارهای جانبی از الگوها.

 
 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 3

هدف

CD-SEM ها برای اندازه گیری در صنعت نیمه هادی ضروری هستند، به اندازه گیری ابعاد بحرانی (CDs) از الگوهای ایجاد شده در طول فرآیند های لیتوگرافی و حکاکی کمک می کنند.سی دی ها به کوچکترین اندازه های ویژگی اشاره دارند که می توانند به طور قابل اعتماد بر روی یک وفر تولید و اندازه گیری شوند.

 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 4

درخواست ها

این ابزارها در خطوط تولید دستگاه های الکترونیکی برای اطمینان از دقت ابعاد لایه های مختلف و ویژگی هایی که تراشه را تشکیل می دهند استفاده می شوند.آنها همچنین نقش مهمی در توسعه فرآیند و کنترل بازی می کنند، کمک به شناسایی و اصلاح هرگونه مشکلاتی که ممکن است در طول فرآیند تولید بوجود آید.

 

اهمیت

بدون CD-SEM، میکروالکترونیک مدرن برای دستیابی به سطح بالایی از دقت و عملکرد که توسط صنعت تقاضا می شود، تلاش می کند.آنها برای اطمینان از قابلیت اطمینان و عملکرد دستگاه های الکترونیکی مدرن ضروری هستند.

 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 5

تغییر تکنولوژی

با پیشرفت تکنیک های لیتوگرافی و کوچک شدن اندازه های ویژگی ها، سی دی-SEM ها به طور مداوم در حال تکامل هستند تا نیازهای صنعت را برآورده کنند.فناوری ها و پیشرفت های جدید در CD-SEM برای مقابله با چالش های اندازه گیری الگوهای پیچیده تر در حال توسعه است

 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 6
 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 7
 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 8
 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 9
 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 10
 
میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی OPTO-EDU A63.7190 300000x 11
A63.7190 میکروسکوپ الکترونی اسکن ابعاد بحرانی (CDSEM)
اندازه وافره A63.7190-68: 6/8 اینچ A63.7190-12: 12 اينچ
قطعنامه 2.5nm (Acc=800V) 1.8nm (Acc-800V)
ولتاژ شتاب دهنده 0.5-1.6KV 0.3-2.0KV
تکرار استاتیک و دینامیک ±1٪ یا 3nm ((3 Sigma) استاتیک و دینامیک ±1% یا 0.3nm ((3 Sigma)
جریان پرتو کاوشگر 3 ~ 30pA 3 ~ 40pA
محدوده اندازه گیری FOV 0.1 ~ 2.0μm FOV 0.05 ~ 2.0μm
قدرت تولید >20 وفل/ساعت >36 وفل/ساعت
1 امتیاز/چیپ 1 امتیاز/چیپ
20 چیپس/وفر 20 چیپس/وفر
بزرگنمایی 1Kx ~ 300Kx 1Kx-500Kx
دقت مرحله 0.5μm
منبع الکترون فرستنده میدان حرارتی Schottky

 
مقایسه مدل های اصلی CDSEM در بازار
مشخصات هیتاچی هیتاچی هیتاچی اپتو ادو اپتو ادو
S8840 S9380 S9380 II A63.7190-68 A63.7190-12
1. اندازه وافره 6 اينچ/8 اينچ 8 اينچ/12 اينچ 8 اينچ/12 اينچ 6 اينچ/8 اينچ 12 اينچ
2. قطعنامه 5nm (Acc=800V) 2nm (Acc=800V) 2nm (Acc=800V) 2.5nm (Acc=800V) 1.8nm (Acc=800V)
3ولتاژ شتاب دهنده 500-1300 ولت 300-1600 ولت 300-1600 ولت 500-1600 ولت 300-2000 ولت
4تکرار (استاتیک و پویا) ± 1٪ یا 5nm ((3 sigma) ± 1٪ یا 2nm ((3 sigma) ± 1٪ یا 2nm ((3 sigma) ± 1٪ یا 3nm ((3 sigma) ±1% یا 0.3nm ((3 sigma)
5دامنه IP (برقی سُند) 1 تا 16pA 3-50pA 3-50pA 3-30pA 3-40pA
6. اندازه FOV - 50nm-2um 0.05-2um 0.1-2um 0.05-2um
7.توليد ۲۶ وفل/ساعت ۲۴ وافل در ساعت ۲۴ وافل در ساعت >20 وافره/ساعت ۳۶ وافل در ساعت
1 امتیاز/چیپ 1 امتیاز/چیپ 1 امتیاز/چیپ 1 امتیاز/چیپ 1 امتیاز/چیپ
5 تراشه/وفر 20 تراشه/وفر 20 تراشه/وفر 20 تراشه/وفر 20 تراشه/وفر